Nhà sản xuất chip Hàn Quốc hiện chiếm ưu thế trên thị trường bộ nhớ băng thông cao (HBM) toàn cầu, từng là đơn vị đầu tiên cung cấp chip HBM3E thế hệ thứ năm cho Nvidia vào năm ngoái. Giới phân tích nhận định việc ra mắt HBM4 sẽ giúp SK hynix củng cố vị thế hàng đầu trong lĩnh vực bộ nhớ cho trí tuệ nhân tạo.
Theo ông Cho Joo Hwan, Giám đốc phát triển HBM của SK hynix, sản phẩm mới đáp ứng đầy đủ yêu cầu về hiệu năng, hiệu suất năng lượng và độ tin cậy. HBM4 được thiết kế với 2.048 cổng kết nối đầu vào/ra, đạt tốc độ xử lý hơn 10 gigabit/giây, cao hơn tiêu chuẩn công nghiệp JEDEC (8Gbps), đồng thời cải thiện hơn 40% hiệu suất năng lượng so với thế hệ trước.
Nvidia dự kiến sẽ sử dụng tám chip HBM4 12 lớp của SK hynix trong nền tảng GPU thế hệ tiếp theo Rubin, dự kiến ra mắt nửa cuối năm 2026. Công ty cho biết công nghệ xếp chồng MR-MUF và tiến trình 1b 10 nanomet thế hệ thứ năm đã được áp dụng nhằm giảm rủi ro sản xuất, đồng thời nâng cao khả năng tản nhiệt và độ ổn định khi sản xuất quy mô lớn.
Ông Kim Ju Seon, Chủ tịch kiêm Giám đốc AI Infra của SK hynix, khẳng định HBM4 sẽ trở thành cột mốc quan trọng, vượt qua những giới hạn hạ tầng AI hiện nay và là sản phẩm chủ chốt trong việc giải quyết các thách thức công nghệ.
Các chuyên gia dự báo giá chip HBM4 của SK hynix có thể cao hơn 60-70% so với thế hệ trước, nhưng sẽ giảm dần khi Samsung Electronics và Micron Technology (Mỹ) tham gia thị trường. Samsung hiện cũng chuẩn bị sản xuất HBM4 bằng công nghệ tiến trình 1c, được xem là tiên tiến hơn so với công nghệ 1b mà SK hynix đang áp dụng.
